第7回 シリコンアナログRF研究会 開催要項
★シリコンアナログRF研究会(RF)
専門委員長  松澤昭
副委員長 益一哉
幹事  松岡俊匡、岡田健一


開催日時:平成18年2月27日(月)10:00〜17:25 (研究会)
                               17:30〜18:00 (見学会)
                               18:00〜20:00 (懇親会)

開催会場:慶應大学 矢上キャンパス
           研究会会場:14棟 創想館2F 14-201教室


           神奈川県横浜市港北区日吉3-14-1
           会場へのアクセス


発表申込締切: 平成18年1月23日(月) 17:00
         →発表参加申込
原稿締切:   平成18年2月17日(金) 17:00
論文頁数:   サマリのみ(A4半ページ)
         →テンプレート
発表時間:   発表時間 20分、質疑応答 5分

参加方法:   平成18年2月21日(火)までに事前申し込み必要
        参加費 1000円
        懇親会費 3000円
         →参加申し込み

講演プログラム (予稿集)
発表時間一人25分 (発表20分,質疑5分)

10:00〜10:10     委員長挨拶


10:10〜10:35 1.  電磁界シミュレーターによるPCB伝送路解析
                 ○上田 千寿 (エーイーティー)
                   (予稿, 発表資料)

10:35〜11:00 2.  Siインターポーザ基板の高周波特性評価(II)
                 ○坂田 晃次, 山下 悟 (富士電機システムズ), 長山 昭, 松田 明憲 (富士電機デバイステクノロジー),
                   中村 起也, 安川 和行 (富士電機アドバンストテクノロジー)
                   (予稿, 発表資料)

11:00〜11:25 3.  オンチップ配線の高周波特性に対するダミーメタルの影響
                 ○土谷 亮, 小野寺 秀俊 (京大)
                   (予稿, 発表資料)

11:25〜11:50 4.  高速ADC設計における技術課題
                 ○入江 浩一 (横河電機)
                   (予稿, 発表資料)

11:50〜13:00     昼食 (70分)


13:00〜14:00 5.  至近距離CMOS無線通信技術 (招待講演)
                 ○黒田 忠広 (慶應大)
                   (講演資料)


14:00〜14:25 6.  分布定数回路一体型RFフロントエンドの開発
                 ○金 相泰, 古賀 文憲, ポカレル ラメシュ, 金谷 晴一, 吉田 啓二 (九大)
                   (予稿, 発表資料)

14:25〜14:40     休憩 (15分)


14:40〜15:05 7.  Si CMOS RF 分布定数型増幅器の設計と評価
                 ○伊藤 猛, 菅原 弘雄, 川添 大輔, 岡田 健一, 益 一哉 (東工大)
                   (予稿, 発表資料)

15:05〜15:30 8.  FD-SOI MOSFETの小信号マクロモデルを用いたRF低雑音増幅器の設計
                 ○中村 圭志, 金 奎哲, 木原 崇雄, 村上 豊生, 後藤 克, 上田 啓介, 松岡 俊匡, 谷口 研二 (阪大)
                   (予稿, 発表資料)

15:30〜15:55 9.  簡易表現式によるRF-MOSトランジスタモデル
                 ○石原 昇 (群馬大), 清水 敏彦 (ルネサステクノロジ)
                   (予稿, 発表資料)

15:55〜16:10     休憩 (15分)


16:10〜16:35 10. インバータチェインを用いた基板ノイズ評価用テストチップにおけるノイズ波形計測と測定系の評価
                 ○森本 一毅, 西山 茂樹, 樋口 大輔, 中野 誠彦 (慶應大)
                   (予稿, 発表資料)

16:35〜17:00 11. 基板モデルを考慮した高周波基板雑音検出回路設計法の検討
                 ○藤原 正樹, 小坂 大輔, 檀上 匠, 永田 真 (神戸大)
                   (予稿, 発表資料)

17:00〜17:25 12. Si基板上に形成した受動素子の高周波特性評価
                 ○中村 起也, 安川 和行 (富士電機アドバンストテクノロジー), 長山 昭,
                   松田 昭憲 (富士電機デバイステクノロジー), 坂田 晃次 (富士電機システムズ)
                   (予稿, 発表資料)

17:30〜18:00     黒田研究室 見学


18:00〜20:00     懇親会


なお,最新の情報につきましては,
プログラムは シリコンアナログRF研究会ホームページ
http://masu-www.pi.titech.ac.jp/RF/をご覧下さい。


【発表参加申込先・問合先】
岡田健一 (東工大 益研 助手)
Tel & Fax: 045-924-5031
E-mail: okada.k.aa@m.titech.ac.jp